窒化ガリウム用電極開発を行うための金属/窒化ガリウム界面の電位分布直視技術の開発

• 研究課題/領域番号: 18686051
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 金属物性
• 研究機関: 財団法人ファインセラミックスセンター
• 研究代表者: 加藤 丈晴 財団法人ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 主任研究員 (90399600)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円); 2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円); 2007年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円); 2006年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
• キーワード: 電子線ホログラフィー / ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属 / 半導体界面 / FIB / 位相

研究概要

金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。

研究成果

• [学会発表] 集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点 (2009)
  • 著者名/発表者名: 加藤丈晴
  • 学会等名: ナノテク産業化基盤技術の有効利用および高度化と融合を目指した研究会2009
  • 発表場所: レガロ福岡
  • 年月日: 2009-03-13
• [学会発表] 集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点 (2009)
  • 著者名/発表者名: 加藤丈晴
  • 学会等名: ナノテク産業化基盤技術の有効利用および高度化と融合を目指した研究会2009
  • 発表場所: 福岡市
  • 年月日: 2009-03-13
• [学会発表] TEM試料の作製技術 (2009)
  • 著者名/発表者名: 加藤丈晴
  • 学会等名: JFCC電子顕微鏡スクール
• [学会発表] 集束イオンビーム技術による試料作製 (2008)
  • 著者名/発表者名: 加藤丈晴
  • 学会等名: 第八回結晶界面工学研究会
  • 発表場所: 神奈川県三浦郡葉山町
  • 年月日: 2008-09-06
• [学会発表] 集束イオンビーム技術による試料作製 (2008)
  • 著者名/発表者名: 加藤丈晴
  • 学会等名: 第八回結晶界面工学研究会、生産性国際交流センター