| 配分額 *注記 |
3,340千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2007年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2006年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| 研究概要 |
本研究では,ZnSe系II-VI族ワイドギャップ半導体による新光デバイス(青-緑レーザ/発光ダイオード,青-紫外線光検出器など)がもつ技術課題を根本的に解決するために,成長界面に「共鳴トンネル超格子層」を導入した。本技術の確立により,p型GaAs基板結晶からp型ZnSe成長層への正孔注入障壁低減することに成功し,従来成し得なかったデバイス構造を実現し,光検出器,発光ダイオード等のZnSe系青一紫外線領域光デバイスの効率を大幅に向上した。
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