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微細Si/SiO2系電子・音響フォノン相互作用エンジニアリングの創成

研究課題

研究課題/領域番号 18760251
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関名古屋大学

研究代表者

宇野 重康  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40420369)

研究期間 (年度) 2006 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
2007年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2006年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
キーワード移動度 / 電子フォノン相互作用 / 音響フォノン / SOI / 閉じこめフォノン / 自立シリコン / 散乱レート
研究概要

本年度は当初計画に従い、下記の成果を得た。
(1)自立シリコン板での電子移動度コンパクトモデル作成
自立シリコン板での形状因子がシリコン層厚、材料によらないUniversalな曲線に従うことを利用し、基底サブバンド内散乱のUniversal曲線を高精度にフィッティングする単純な解析式を発見した。これを用いて変調音響フォノン散乱律速移動度を解析式表現することにより、電子の大半が基底サブバンド内に存在するような比較的シリコン層厚の薄い領域での移動度を解析式によって高精度に表現することに成功した。この成果は学術論文として発表された。また、サブバンド間散乱の形状因子にもUniversalityがあることを明らかにした。
(2)シリコンナノワイヤ構造での電子フォノン相互作用に関する初動研究
自立シリコンナノワイヤ構造での音響フォノン変調を取り入れた電子フォノン相互作用の形状因子を計算し、自立シリコン板と同様にナノワイヤ径、材料によらないUniversalな形状因子曲線が得られることが明らかになった。また、変調音響フォノンを厳密に取り入れた電子フォノン相互作用計算プログラムを用いることにより、散乱レートが形状因子増加から予想されるのと同程度だけ減少することを明らかにした。このような自立板構造と類似した結果が得られることは、音響フォノン変調が電子フォノン相互作用に与える影響は、構造によらない一般的かつ簡潔な物理によって支配されていることを示唆している。

報告書

(2件)
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (5件)

すべて 2007

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (4件)

  • [雑誌論文] Analytical Description of Intravalley Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in an Ultra-thin Si Plate Incorporating Phonon Modulation due to Plate Interfaces2007

    • 著者名/発表者名
      Shigeyasu Uno
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 923-926

    • NAID

      210000064129

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 音響フォノン変調によるSOI, Double-Gate, FinFETでの電子移動度劣化の理論解析2007

    • 著者名/発表者名
      宇野重康
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-07
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 自立シリコン量子細線における電子閉じ込めフォノン相互作用に関する理論研究2007

    • 著者名/発表者名
      服部淳一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-07
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Reduction of Acoustic Phonon Limited Electron Mobility due to Phonon Confinement in Silicon Nanowire MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Junichi Hattori
    • 学会等名
      2007 Device Research Conference
    • 発表場所
      South Bend, IN, USA
    • 年月日
      2007-06-19
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in SOI, Double-Gate, and FinFET:Is Bulk Phonon Assumption Valid?2007

    • 著者名/発表者名
      Shigeyasu Uno
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-06-10
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

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公開日: 2006-04-01   更新日: 2016-04-21  

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