弗化物エピタキシャル誘電膜を絶縁膜として用いたGe-MIS構造の研究

• 研究課題/領域番号: 18860081
• 研究種目: 若手研究(スタートアップ)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 前田 元輝 高知工科大, 工学部, 講師 (70425148)
• 研究期間 (年度): 2006
• 研究課題ステータス: 完了 (2006年度)
• 配分額: 1,330千円 (直接経費: 1,330千円); 2006年度: 1,330千円 (直接経費: 1,330千円)