研究課題/領域番号 |
18H01147
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
小西 邦昭 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (60543072)
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研究分担者 |
赤井 大輔 豊橋技術科学大学, エレクトロニクス先端融合研究所, 助教 (50378246)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2020年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2019年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2018年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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キーワード | メタマテリアル / フォトニック結晶 / 非線形光学 / 真空紫外光 / メンブレン |
研究成果の概要 |
本研究においては、厚さがたった50nm程度しかない薄い透明な自立薄膜に対して、可視光のパルスレーザーを入射すると、真空紫外光と呼ばれる、これまで発生が難しかった波長200nm以下の光に高い効率で変換されることを初めて見出した。さらに、その自立薄膜に、約200nmの大きさのナノスケールの穴を周期的に作製すると、光の電場が進行方向に対して回転する円偏光状態への真空紫外波長変換が可能となることを明らかにした。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、人工ナノ構造を用いて、真空紫外領域のコヒーレント円偏光を直接発生することに成功した初めての成果であり、真空紫外光の発生方法として新たな選択肢を加えるものである。さらに、誘電体の高いレーザー破壊閾値特性を生かして、ARPESのような実際の眞空紫外分光等への応用の可能性が検討可能な強度での真空紫外光発生が実現できた点も重要であり、今後は、この手法による発生強度をさらに増大させることによって、コヒーレント真空紫外光源としての応用が進むことが期待できる。
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