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超高効率太陽電池の実現に向けた単原子層材料を介する新規高性能半導体接合技術の創出

研究課題

研究課題/領域番号 18H01475
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関京都大学

研究代表者

田辺 克明  京都大学, 工学研究科, 准教授 (60548650)

研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2022-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2021年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2020年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2019年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2018年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
キーワード半導体接合 / ウェハ貼り合わせ / 単原子層材料 / 機能性材料 / 透明導電酸化物 / 波長変換材料 / 太陽電池 / 光電子デバイス / 量子ドット / ウェハ接合 / ハイドロジェル / 半導体 / 光・電子デバイス / 接合 / ダブルヘテロ構造 / グラフェン
研究成果の概要

本研究では、多岐に亘る新規高機能ウェハ接合技術の提案および実験的実証を行った。例えば、世界に先駆け、単原子層材料を介した半導体接合に成功した。また、半導体界面に接着性と柔軟性に富むハイドロジェルを導入することで、微粒子や表面の粗さといった接合阻害要因を緩和し、かつ高い光透過性と導電性を有する接合を実現した。さらに、ハイドロジェルに波長変換材料を担持することによって接合形成と光学的機能発現を同時に生み出す接合技術の開発を行った。また、液相より合成する透明導電材料を介した半導体接合も実現した。これらの新しい接合界面の特性として、高い接合強度、導電性、透光性、表面粗さ許容度を同時に達成した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

ウェハ接合は低結晶欠陥密度の格子不整合ヘテロ構造形成法であり、高品質な半導体素子の作製法として期待されている。本研究では、界面特性として、高い接合強度、導電性、透光性、表面粗さ許容度を同時に達成した。これまでの半導体接合法として、直接接合、酸化物、金属、ポリマー材料を介した接合が存在していたが、これらの特性全てを満たすものはなく、初めてとなる高性能な接合技術である。また、採用した透明導電材料はハイドロジェルやZnOであり、従来のITO等と比較して、コスト、元素埋蔵量、環境負荷といった点で有利である。これらの新規接合技術は今後、多様な高性能光・電子デバイスの低コスト生産に繋がるものと期待される。

報告書

(6件)
  • 2021 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2020 実績報告書
  • 2019 実績報告書
  • 2018 実績報告書
  • 研究成果発表報告書
  • 研究成果

    (16件)

すべて 2022 2021 2020 2019 2018

すべて 雑誌論文 (11件) (うち査読あり 11件、 オープンアクセス 5件) 学会発表 (2件) (うち国際学会 2件) 産業財産権 (3件)

  • [雑誌論文] Strain relaxation in semiconductor wafer bonding2021

    • 著者名/発表者名
      Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 5 ページ: 055504-055504

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abf9e4

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Selective transfer of Si thin-film microchips by SiO2 terraces on host chips for fluidic self-assembly2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujita, S. Ishihara, Y. Nakashima, K. Nishigaya, and K. Tanabe
    • 雑誌名

      Applied Mechanics

      巻: 2 号: 1 ページ: 16-16

    • DOI

      10.3390/applmech2010002

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Graphene-quantum-dot-mediated semiconductor bonding: A route to optoelectronic double heterostructures and wavelength-converting interfaces2020

    • 著者名/発表者名
      K. Nishigaya, K. Kishibe, and K. Tanabe
    • 雑誌名

      Journal of Carbon Research

      巻: 6 号: 2 ページ: 28-28

    • DOI

      10.3390/c6020028

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Nanoscale silicon fluidic transfer for ultrahigh-density self-assembled integration2020

    • 著者名/発表者名
      S. Ishihara and K. Tanabe
    • 雑誌名

      Nano Express

      巻: 1 号: 1 ページ: 010063-010063

    • DOI

      10.1088/2632-959x/ab9d8e

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] III-V light-emitting diodes on silicon by hydrogel-mediated wafer bonding2020

    • 著者名/発表者名
      K. Nishigaya and K. Tanabe
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 9 号: 8 ページ: 086002-086002

    • DOI

      10.1149/2162-8777/abb794

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ohmic InP/Si direct-bonded heterointerfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Inoue Ryoichi、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 114 号: 19 ページ: 191101-191101

    • DOI

      10.1063/1.5092436

    • NAID

      120006634660

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct Semiconductor Wafer Bonding in Non-Cleanroom Environment: Understanding the Environmental Influences on Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      Inoue Ryoichi、Takehara Nagito、Naito Takenori、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 1 号: 6 ページ: 936-944

    • DOI

      10.1021/acsaelm.9b00118

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Hydrogel-mediated semiconductor wafer bonding2019

    • 著者名/発表者名
      Kishibe Kodai、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 号: 8 ページ: 081601-081601

    • DOI

      10.1063/1.5096540

    • NAID

      120006719311

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Solution‐Processed‐ZnO‐Mediated Semiconductor Bonding with High Mechanical Stability, Electrical Conductivity, Optical Transparency, and Roughness Tolerance2019

    • 著者名/発表者名
      Yamashita Tatsushi、Hirata Soichiro、Inoue Ryoichi、Kishibe Kodai、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Advanced Materials Interfaces

      巻: 6 号: 22 ページ: 1900921-1900921

    • DOI

      10.1002/admi.201900921

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Wavelength-Conversion-Material-Mediated Semiconductor Wafer Bonding for Smart Optoelectronic Interconnects2019

    • 著者名/発表者名
      Kishibe Kodai、Hirata Soichiro、Inoue Ryoichi、Yamashita Tatsushi、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 9 号: 12 ページ: 1742-1742

    • DOI

      10.3390/nano9121742

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Fabrication of Si/graphene/Si Double Heterostructures by Semiconductor Wafer Bonding towards Future Applications in Optoelectronics2018

    • 著者名/発表者名
      Naito Takenori、Tanabe Katsuaki
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 8 号: 12 ページ: 1048-1048

    • DOI

      10.3390/nano8121048

    • NAID

      120006621538

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] Upconversion material-mediated semiconductor bonding2021

    • 著者名/発表者名
      N. Sano, K. Nishigaya, and K. Tanabe
    • 学会等名
      7th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Selective transfer of Si thin-film microchips for fluidic self-assembly2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujita, S. Ishihara, K. Nishigaya, Y. Nakashima, and K. Tanabe
    • 学会等名
      7th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [産業財産権] 太陽電池の製造方法2022

    • 発明者名
      田辺 克明, 外5名
    • 権利者名
      国立大学法人京都大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2022-128625
    • 出願年月日
      2022
    • 関連する報告書
      研究成果発表報告書
  • [産業財産権] 微細シリコンデバイスのセルフアッセンブリ方法2020

    • 発明者名
      田辺克明、石原翔治
    • 権利者名
      田辺克明、石原翔治
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-088292
    • 出願年月日
      2020
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体構造物、多接合太陽電池及び半導体構造物の製造方法2019

    • 発明者名
      田辺克明、岸部航大、平田桑一朗
    • 権利者名
      京都大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2019-027609
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書

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公開日: 2018-04-23   更新日: 2024-03-28  

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