研究課題
基盤研究(B)
資源およびエネルギーの有効利用や利便性に優れた電気・電子機器の開発には、ワイドバンドギャップ半導体を用いたパワー半導体デバイスの開発が必要である。本研究では、放電プラズマ蒸着法によって窒化ホウ素半導体膜を形成し、得られた膜表面へのドーピングに取り組んだ。そしてドーピングした膜の構造、組成、電気特性等の評価を通して、電気伝導性を向上させるドーピング条件を見出し、電気伝導性を制御するための指針を確立した。
ワイドギャップ半導体の電気伝導性を向上させるドーピング手法を見出し、電気伝導性を制御するための指針を得るに至った。また電気伝導性を高めた膜を基にした表面デバイスの動作性能の評価を通して、本研究手法の有用性を実証することが出来た。これらの成果は、高出力・高効率なパワー半導体デバイスの開発に有用であり、資源およびエネルギーの有効利用や利便性に優れた電気・電子機器の開発に資するものである。
