| 研究課題/領域番号 |
18H01866
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2020)
東京大学 (2018-2019) |
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研究代表者 |
打田 正輝 東京工業大学, 理学院, 准教授 (50721726)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2020年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2019年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2018年度: 13,910千円 (直接経費: 10,700千円、間接経費: 3,210千円)
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| キーワード | ルテニウム酸化物 / 薄膜 / 超伝導体 / 超伝導材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、エピタキシー技術によるルテニウム酸化物超伝導体の実現と薄膜・接合を利用した超伝導状態の解明を目的とした。転移温度が1.2Kを超えるSr2RuO4超伝導薄膜の作製に成功し、上部臨界磁場を精密に測定することで、二次元状態においてとりうる超伝導対称性を議論した。また、Sr2RuO4同士のジョセフソン接合作製に成功し、ジョセフソン臨界電流の磁場依存性が時間反転対称性を保った振動パターンとなることを明らかにした。さらに、分子線エピタキシー成長によって高品質なRuO2単結晶薄膜を様々な基板上に作製し、基板からのエピタキシャル歪みを制御することで、Tc = 1.7 Kの超伝導の発現に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本成果は、転移温度が低く不純物や組成に非常に敏感な酸化物超伝導体の研究において、酸化物分子線エピタキシー技術を用いた新規超伝導体の開拓と、エピタキシャル薄膜やジョセフソン接合を利用した超伝導状態の解明が極めて有効であることを示しており、今後様々な酸化物への応用展開が期待される。
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