| 研究課題/領域番号 |
18H01873
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
川原村 敏幸 高知工科大学, システム工学群, 教授 (00512021)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
17,810千円 (直接経費: 13,700千円、間接経費: 4,110千円)
2021年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2020年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2019年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2018年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
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| キーワード | ミストCVD / 気液混相流 / 反応メカニズム / 酸化ガリウム / 酸化亜鉛 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / ショットキーバリアダイオード(SBD) / ミスト流 / 低環境負荷 / 反応活性・支援 / 量子素子 / Ga2O3 / AlGaOx / 反応メカニズム解明 / 超ワイドバンドギャップ金属酸化物 / 装置試作 / 超高品質化 / 反応制御 / デバイス試作 / α-Ga2O3 / 超ワイドバンドギャップ金属酸化物量子素子 / 反応活性 |
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| 研究成果の概要 |
世界的な安心・安全な生活環境の確立と、超高速・超大容量化する情報化社会への対応等を、地球環境保護を確保して達成させる事を目的に、ミストCVDによるAlGaOx系深紫外発光素子と高移動度トランジスタの作製に挑戦した。各種機能膜の組成や特性を操作する術を確立し、酸化ガリウム系機能膜の表面粗さを操作する術やそれらを合成する時にミストCVDを用いる事の利点などを見出した。またSBDやHEMT等の形成と駆動を確認し、AlNと同等の6.22eVにもおよぶバンドギャップを有するSi:AlGaOx薄膜デバイスの駆動に成功した。一方、予算に関する問題や新型感染症対策禍のため一部研究を断念せざるをえず悔やまれる。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
気液混相(ミスト)流を利用する事で、(ア)独立な操作変数数の拡張による操作変数選択自由度の向上と、(イ)反応場雰囲気制御範囲の拡張が可能となり、極めて高度に反応を制御できる可能性がある事を示すことに成功した。つまり、ミストCVDは未来デバイスを合成するための強力な技術であることを示せた。
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