| 研究課題/領域番号 |
18H01886
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 弘前大学 |
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研究代表者 |
小林 康之 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90393727)
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| 研究分担者 |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (90344613)
小豆畑 敬 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20277867)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)
2021年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2020年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2019年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2018年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
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| キーワード | 半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 / 六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / 窒化物半導体 / 窒化ホウ素 / ガラス基板 / BN / GaN / MBE / 金属基板 |
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| 研究成果の概要 |
我々は、プラズマ支援分子線エピタキシー(MBE)を用いてガラス基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)を成長し、2層モデルを用いて測定されたX線反射率のフィッティングを行うことにより、その膜厚(39 nmと2 nm)を求めた。膜厚39 nmの薄膜はラマン活性なモードのピークを示し、39 nmと2 nmの薄膜は赤外活性なピークを示した。原子間力顕微鏡は、その2つの膜厚の薄膜表面は原子レベルで平坦であることを示した。これらの結果は、MBEによりガラス基板上にh-BN薄膜を成長することが可能であることを示唆している。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
ガラス基板は、GaN系デバイス構造に使われるサファイア基板と比較して、大面積化が可能であり、経済的に安価であり、GaN系デバイス構造の適用範囲を大きく広げると期待される。しかしながら、ガラス基板上に単結晶GaN系デバイス構造を成長することは、一般的に困難である。今回、我々はそのガラス基板上に分子線エピタキシー法により、六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜が成長することを見出した。今後、このh-BN薄膜をバッファ層としてこのh-BNバッファ層上に単結晶GaNデバイス構造が成長する可能性がある。
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