| 研究課題/領域番号 |
18H01891
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
西澤 伸一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (40267414)
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| 研究分担者 |
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2020年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2019年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2018年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / 結晶成長 / 不純物 / 表面 / 多形 / エネルギー / SiC / 数値解析 |
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| 研究成果の概要 |
SiC多形制御について，バルクエネルギー，静的表面エネルギー，動的表面吸着エネルギーに対するドーパントの影響をDFTにより検討し，n型4H-SiC安定成長はC終端面かつ窒素ドープ条件でのみ可能であることを示した。他の条件下では，4H-SiC基板上では多形変形が起きる可能性が高い。また，p型4H-SiCは，アルミニウムドープで成長させる際に，C終端面，Si終端面いずれも安定成長を困難であることがわかった。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
SiCの普及にたいして最大のボトルネックになっているSiC単結晶基板に関して，初めて理論的に多形制御物理を明らかにした。この成果は，4H-SiCを絶対安定に成長させるための最適結晶成長条件確立につながり，ポストシリコン時代の省エネルギーパワー半導体材料として期待されているSiCの本格的実用化を支えることである。
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