| 研究課題/領域番号 |
18H01950
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分32020:機能物性化学関連
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
西川 浩之 茨城大学, 理工学研究科(理学野), 教授 (40264585)
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| 研究分担者 |
志賀 拓也 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (00375411)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2021年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2020年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2019年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
2018年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | 磁性伝導体 / TTF-金属錯体 / 有機デバイス / 電界効果トランジスタ / 発光デバイス / 分子スピントロニクス / 分子性導体 / 磁性半導体 / 薄膜デバイス / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，分子内に常磁性金属を組み込んだ分子性導体を半導体活性層に用いた電界効果トランジスタを作製し，外部磁場や円偏光に応答する薄膜デバイスの開発を目的としている。伝導性を担う部位であるTTF（テトラチアフルバレン）誘導体がシッフ塩基型Cu(II)錯体に直接連結した錯体を新規に合成し，伝導性と磁性の相互作用について解明した。TTF系とCu錯体部位が共役系で連結した分子では，TTF金属錯体としては高い電気伝導性を示す物質の開発に成功した。さらに，軸不斉を有するPt錯体を新たに合成し，薄膜状態でりん光性の円偏光発光を示す物質の開発に成功した。左右の円偏光を同時に測定できる装置の開発にも成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では，スピンが関与する新しいデバイスの創成を目指して，磁性と伝導性が相互作用した分子性導体，凝集状態で円偏光を発光するキラルな金属錯体の開発した。スピンが関与するスピントロニクスは現在の半導体デバイスの高機能化および省エネ化が可能である。円偏光発光デバイスは量子コンピュータ等，幅広い分野への応用が期待されている。本研究の成果はこれら新規デバイス材料の開発において重要な知見を与えるものである。
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