| 研究課題/領域番号 |
18H03875
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長谷川 達生 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (00242016)
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| 研究分担者 |
東野 寿樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (30761324)
荒井 俊人 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (40750980)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
45,760千円 (直接経費: 35,200千円、間接経費: 10,560千円)
2020年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2019年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
2018年度: 29,900千円 (直接経費: 23,000千円、間接経費: 6,900千円)
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| キーワード | 有機半導体 / 有機エレクトロニクス / 薄膜トランジスタ / プリンテッドエレクトロニクス / 銀ナノインク / 半導体界面 / TFTアレイ |
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| 研究成果の概要 |
本研究において、高精細な金属配線を印刷できるスーパーナップ法により400ppiの高精細TFTアレイを高スループットのもと作製するとともに、それらの下地層となるCytopをゲート絶縁層とするため、超高撥液なCytop表面上に半導体層を均質塗布する拡張メニスカス塗布法を開発した。これによりきわめて清浄な半導体-絶縁体界面を持つ塗布型TFT構築に成功し、平均移動度4.9cm2/Vsと理論限界に迫る平均67mVのサブスレッショルドスイング値を得た。さらに均質製膜に適した層状結晶性・溶液プロセス性・熱安定性を有する有機半導体を開発した。以上により今後のプリンテッドエレクトロニクスの基盤技術が得られた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、物質科学を基盤に、有機半導体や銀ナノインク等の塗布型電子材料が持つ優れた材料ポテンシャルを最大限に活用し、古代から長い年月とともに進化してきた経験集約型の印刷技術の限界を突破し、今後のプリンテッドエレクトロニクスの基盤となる顕著な成果が得られた。特に、従来にない超高急峻なスイッチング特性を示すTFTの全塗布による開発に成功し、これにより既存技術では困難な、軽量・大面積・フレキシブルなデバイス製造技術の確立と、これを起点とする多彩なヒューマンインターフェースデバイスの開発・普及などにつながることが期待される。
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