| 研究課題/領域番号 |
18H03895
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分31:原子力工学、地球資源工学、エネルギー学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20251374)
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| 研究分担者 |
岡本 一将 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (10437353)
室屋 裕佐 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (40334320)
大沼 正人 北海道大学, 工学研究院, 教授 (90354208)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円)
2022年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
2021年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2020年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2019年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
2018年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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| キーワード | 放射線、X線、粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理 / データ科学 |
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| 研究成果の概要 |
半導体デバイスの大量生産では、電離放射線領域にある波長13.5 nmの極端紫外光（EUV）が次期露光源として使われようとしている（研究開始時）。しかし、微細加工材料開発は解像度10 nmに大きな壁があり、開発のための学術基盤の早急な整備が必要である。本研究では、EUVレジストの反応機構を解明し、得られた知見に基づいた反応機構モデルにより、モンテカルロシミュレーションを行い、次世代EUVリソグラフィ開発で最大の問題となっている確率統計欠陥生成のメカニズムとリスク評価指標を考案した。さらに得られた実験データ、シミュレーション結果を機械学習で解析することにより、シングルナノ材料の設計指針を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
電離放射線領域の量子ビームによって誘起される初期の主要な反応は数ps以内で起こる高速反応であり測定が困難である。また、電離放射線のエネルギーを材料中で有効利用しようと考えた場合、電離放射線領域では、分子のエネルギー吸収選択性が失われ、エネルギーは溶質ではなく大部分が媒質に付与されるため、媒質のイオン化という形で付与されたエネルギーをいかにターゲット分子に伝達するかということが重要となる。このような反応系を設計するうえで、中間活性種の空間分布は本質的問題であり、本研究では、中間活性種の空間分布を含む反応機構を解明し、EUVリソグラフィの実現に貢献すると共に、次世代EUVレジストの設計指針を得た。
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