| 研究課題/領域番号 |
18K03497
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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| 研究機関 | 大阪工業大学 (2020)
兵庫県立大学 (2018-2019) |
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研究代表者 |
長谷川 尊之 大阪工業大学, 工学部, 講師 (00533184)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2020年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2019年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2018年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | テラヘルツ電磁波 / キャリア輸送 / プラズモン / コヒーレントフォノン / キャリアダイナミクス / 超高速現象 / 光学フォノン / 非平衡キャリア輸送 / 縦光学フォノン / 半導体エピタキシャル構造 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、GaAsエピタキシャル薄膜における異種のテラヘルツ領域過渡現象が共存した条件でのテラヘルツ電磁波放射を調査した。さまざまな励起条件下での電磁波時間波形を系統的に計測し、実験結果は光励起プラズモンと縦光学フォノンの結合振動を考慮して解析した。本解析から、非平衡キャリア輸送過程および縦光学フォノン‐プラズモン結合モードからの電磁波放射の重畳を定量的に説明した。さらには、内部電場に依存する電子輸送特性が、テラヘルツ電磁波時間波形を特徴づける重要な要素の1つであることを示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
テラヘルツ電磁波の発生方法は多数存在するが、半導体表面の過渡現象を利用する方法は、デバイス加工や複雑なレーザー系を必要としない等の利点がある。本研究で明らかにした異種過渡現象共存下のテラヘルツ電磁波放射の物理描像は、テラヘルツ電磁波発生機構のさらなる理解につながるものであり、学術的意義がある。また、テラヘルツ電磁波放射の制御に関する新知見は、本発生機構に基づくテラヘルツ電磁波応用の発展に貢献することが期待される。
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