研究課題/領域番号 |
18K03600
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分14030:プラズマ応用科学関連
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
内野 喜一郎 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10160285)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2020年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | 極端紫外線(EUV)光源 / スズデブリ / VHFプラズマ / 水素原子 / 水素イオン / 反応性イオンエッチング / スズの分解除去 / EUV光源 / 水素 / プラズマ / 電子密度 / 電子温度 / 半導体リソグラフィー |
研究成果の概要 |
本研究では、極端紫外光源で、集光ミラーへ堆積して問題となっているスズ(Sn)薄膜を、水素プラズマで揮発性のSnH4ガスに変えて除去する方法について調査した。まず、電子密度が高いほどスズ膜の反応性イオンエッチングが進行し、エッチングレートも増加すること、水素ガス圧が高いとスズの再堆積が起こりやすいこと、スズの再堆積を防ぐには、ガス流量を増やしスズ薄膜の温度を下げることが効果的であることを明確に示した。さらに、スズ薄膜分解に対する水素イオンエネルギー依存性を調べ、10 eV程度のイオンエネルギーが最も効率的であることを明らかにした。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
まず、水素ガス圧・流量やSn表面温度などのスズ分解除去特性への影響を明らかにしている。また、スズ除去過程で、水素原子による化学的反応に対して、水素イオンの寄与は1万倍以上大きく、水素イオンによる反応性イオンエッチングの優位性を明らかにしている。更に、10 eV程度のイオンエネルギーがスズ分解除去に最も効率的であることが示された。これら本研究で得られた知見は、実際のEUV集光ミラーからのスズ膜除去において大きく役立つものである。
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