| 研究課題/領域番号 |
18K04228
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
塩島 謙次 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (70432151)
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| 研究分担者 |
橋本 明弘 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (10251985)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 金属／半導体界面 / ショットキー電極 / 界面顕微光応答法 / ワイドバンドギャップ半導体 / 2次元評価 / GaN / 耐圧評価 / SiC / α-Ga2O3 / 表面損傷 / 信頼性評価 / 金属/半導体界面 |
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| 研究成果の概要 |
我々がオリジナルに開発した金属／半導体界面の2次元評価が行える界面顕微光応答法に近紫外光励起の機構を付け加える提案を行い、高電圧印加による劣化の原因となるGaN結晶欠陥を特定することに成功した。波及効果として、電気化学エッチングや中性ビームエッチングによる表面損傷、熱処理の影響に対しても有効であることも示した。また、SiC、α-Ga2O3の他のワイドバンドギャップ材料にも本手法が応用できることも実証し、当初の目的以上の成果を残したと考えられる。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
金属／半導体界面の電気的性質を非破壊に2次元評価が行える本手法は他に類をみないものであり、本研究では結晶欠陥が素子劣化に及ぼす影響、表面処理やアニール等のプロセス技術の不均一性、半導体表面に導入された損傷において学術的に価値のある成果が得られた。これらの成果はハイパワー応用が期待されている各種ワイドバンドギャップ半導体材料の研究開発において、マクロに素子全体を見渡せる新たな評価手法の提案として貢献するものと思われる。
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