GaN単結晶における貫通転位の漏れ電流特性を支配する物理的要因の抽出

• 研究課題/領域番号: 18K04236
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 竹内 正太郎 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (70569384)
• 研究期間 (年度): 2018-04-01 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 採択後辞退 (2018年度)
• 配分額: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2020年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2019年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2018年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)