研究課題/領域番号 |
18K04247
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 沖縄科学技術大学院大学 |
研究代表者 |
CASSIDY Cathal 沖縄科学技術大学院大学, 量子波光学顕微鏡ユニット, スタッフサイエンティスト (40792156)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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配分額 *注記 |
1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2020年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2019年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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キーワード | holography / semiconductor / CdTe / electron holography / Electron holography / EELS / device / microscopy / electron |
研究成果の概要 |
電子線ホログラフィー法は半導体材料内の電位分布をナノスケールレベルで一意的、定量的にイメージングできる。一方、CdTeは次世代医療イメージング検出器用の材料として極めて有用と考えられているが、検出器の特性にはまだ改善の余地が多い。その主因はCdTe自体の材料欠陥と半導体―金属接合界面による電気特性の悪化にある。本プロジェクトは電子線ホログラフィー法によりナノスケールレベルでの観察により、CdTeの欠陥による影響を解明し、CdTe検出器の特性改善に寄与するものである。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
We have measured intrinsic material parameters that were previously unknown. We have also clarified the underlying physics which defines mean free paths in off-axis holography. We have established a collaboration with a local CdTe semiconductor company to continue the research.
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