| 研究課題/領域番号 |
18K04248
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
陳 君 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 (90537739)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2020年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2019年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2018年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | カソードルミネッセンス / チタン酸ストロンチウム / 転位 / 酸素空孔 / SrTiO3 / Oxygen vacancy / Cathodoluminescence / Dislocation / cathodoluminescence / oxygen vacancy / Oxygen vacancies / Oxygen |
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| 研究成果の概要 |
チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）は代表的なペロブスカイト構造をもつ酸化物である、抵抗変化型メモリの材料として注目され。多くの酸化物は酸素空孔（酸素の格子空孔）を含んで、この酸素空孔が材料の電気抵抗値に大きく影響している。一方で、転位欠陥が酸素空孔の移動に関与しているという報告がある。本研究では、SrTiO3中の酸素空孔と転位欠陥が、どのように関連しているかを研究する。カソードルミネッセンス（CL）法よって試料内の酸素空孔と転位欠陥を調べ、メモリ作用との関連を明らかにする。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、カソードルミネッセンス法によって、初めてチタン酸ストロンチウム（SrTiO3）中の転位と酸素空孔の空間分布に関する情報を得た。
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