鉄系超伝導体薄膜における圧力下超伝導転移温度上昇機構の解明

• 研究課題/領域番号: 18K04250
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
• 研究代表者: 小林 賢介 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 特任助教 (70595537)
• 研究期間 (年度): 2018-04-01 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 採択後辞退 (2018年度)
• 配分額: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2020年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2018年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)