| 研究課題/領域番号 |
18K04251
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
Yun Joosun 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 基礎科学特別研究員 (30817359)
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| 研究分担者 |
平山 秀樹 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 主任研究員 (70270593)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | QCL / AlGaN / NEGF / Alloy disorder / Radom field / Dipole scattering / Self-energy / Random electric field / Interface roughness / Roughness-induced charge / Level broadening / GaN / GaAs / AlGaAs |
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| 研究成果の概要 |
1. GaN/AlGaN 超格子の双極子散乱自己エネルギーがモデル化され、NEGF に基づくキャリア輸送の調査に利用されました。 この研究により、0.3 から 0.7 の間の組成 Al 比が、レベルの広がりに大きく影響することが確認されました。
2. GaN/AlGaN 多重量子井戸 (MQW) の界面での粗さ誘起電荷によるランダム電界の生成が報告されています。 この研究により、GaN/AlGaN MQWのAl組成比が0.1の場合でも、界面品質が悪い場合には、1MV/cm以上のRMSランダム電界を発生できることが明らかになりました。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
We step forward to clarify the carrier transport in AlGaN-based superlattices through this project's analytical and numerical calculations. Continuous research stemming from this project will help realize the unexplored frequency's terahertz laser device and high-efficiency deep-UV emitter.
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