| 研究課題/領域番号 |
18K04252
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
升本 恵子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60635324)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2020年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 炭化珪素 / エピタキシャル成長 / スパイラル成長 / on-axis / 炭化ケイ素 / 3Cインクルージョン / SiC / CVD / エピタキシャル / バルク |
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| 研究成果の概要 |
化学気相成長（CVD）法を用いたＳｉＣバルク結晶成長に必要不可欠なスパイラル成長の安定化に取り組み、成長初期条件の最適化により、高速成長における欠陥密度の大幅な低減に成功した。3インチ基板上に成長速度40 μm/hで5時間成長し、厚さ194 μmのエピタキシャル膜を成長し、基板から剥離することによりエピタキシャル膜を自立化させ、ピンセットによるハンドリングが可能な厚さのSiC基板が作製可能であることを実証した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
次世代パワー半導体SiCはCO2排出抑制のキーデバイスとして注目を集めており、本研究の成果によりCVD法によるSiCバルク結晶成長が実現すると、SiCデバイスのコストが低減し、更なる普及につながる。また、SiCは様々な多形が安定であるため、エピタキシャル成長においてスパイラル成長の安定化は困難であると考えられていたが、成長初期の過飽和度の制御等、スパイラル成長実現のための重要な要素を示すことができた。
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