| 研究課題/領域番号 |
18K04258
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
若林 整 東京工業大学, 工学院, 教授 (80700153)
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| 研究分担者 |
宗田 伊理也 東京工業大学, 工学院, 助教 (90750018)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | Nano-wire / FinFET / 自己発熱効果 / Nanowire / p/n vertical integration / Self-heating effect / Multi-input NOR / P/n vertical integration / 半導体 / MISFET / ナノワイヤ |
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| 研究成果の概要 |
超低消費電力LSI向けMOSFET技術について、Nano-wire (NW)構造による微細化が有効である。しかし自己発熱による駆動電流低下が問題であり、FinFET上にNWを積層することで基板へ通じる放熱経路を確保(リセスコンタクト)することが有効である。そこでp/n積層NW/FinFETsによるInverterやTransfer gate, NOR, NAND, 多入力NOR/NAND, SRAM について、自己発熱効果抑制と面積削減効果を明らかにした。次に本構造ではNANDよりもNORで自己発熱効果が顕著であるが、5入力までであれば駆動電流を大きく維持できることを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
この成果は今後のLogic LSIの高性能化のために重要な知見であると考えられ、今後のサステナブル社会に資すると考えられる。
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