| 研究課題/領域番号 |
18K04273
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
神村 共住 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40353338)
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| 研究分担者 |
堀邊 英夫 大阪市立大学, 大学院工学研究科, 教授 (00372243)
中村 亮介 大阪大学, 共創機構産学共創本部, 特任准教授 (70379147)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2020年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2019年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2018年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | レーザー照射 / レジスト剥離 / 高速イメージング / 有限要素法解析 / オゾンマクロバブル / オゾン水 / オゾンマイクロバブル水 / レジスト剥離現象 / レジスト剥離メカニズム / レジスト除去技術 / 剥離効率 |
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| 研究成果の概要 |
薬液・廃液処理が不要な新たな低環境負荷レジスト除去技術を提供するため、水中でレーザーを照射することによりレジストを剥離する新しいレジスト除去技術を開発した。本研究では、水中レーザー照射におけるレジスト剥離メカニズムについて解明した。さらに、レーザー照射後にオゾン水技術を用いることにより、レーザー照射によって生じた剥離、及び割れた部分にオゾン水を浸透させ、レジスト表面、剥離・割れたレジスト側面、シリコンウェハー・レジスト界面からの3次元的なレジスト除去に成功した。これららの成果は当該技術の実用化に向けた剥離速度の向上に期待できる。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
レジスト剥離技術として用いられている手法はレジスト表面から除去行うが、レーザーを用いた本開発技術ではSiウェハーとレジスト界面から剥離させる全く新しい技術である。水中環境でのみ高効率に剥離可能なメカニズムが解明できたことにより、その他のレジスト材料への応用などが期待できる。また、レーザー照射後にマイクロバブルを含むオゾン水のかけ流し処理を組み合わせることによって実用化に不可欠な剥離速度の向上も可能である。今後、MEMS製造技術、基板上に高密着された様々な高機能性コーティング膜の剥離にも応用でき、我が国の産業競争力を高める基礎技術としても活かすことができる。
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