| 研究課題/領域番号 |
18K04705
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 愛媛大学 |
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研究代表者 |
高橋 亮治 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 教授 (80292663)
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| 研究分担者 |
佐藤 文哉 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師 (00709488)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 多孔質膜 / 半導体のパターン成長 / シリカ / 相分離 / アルミナ / 陽極酸化 / シリコン / パターニング / カーボンナノチューブ / 半導体 / 半導体ナノロッドアレイ / 酸化物マスク / シリコン基板 / 表面修飾 / カーボンナノファイバーアレイ |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではシリンダ型の垂直貫通孔を有する酸化物薄膜で修飾した単結晶Si表面に、気相蒸着により半導体のパターン成長を行った。
Si表面へのパターン膜の作製は相分離を利用したゾルゲル溶液のディップコーティング、および金属アルミニウムの陽極酸化により行い、それぞれマクロメートルオーダー、数十ナノメートルオーダーのシリンダ型細孔を均一に有する多孔質膜によるSi基板の修飾を可能とした。また得られたパターン膜を利用し、Si上にカーボンナノチューブのパターン成長が可能なことを実証した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
Si基板上に半導体結晶を異方成長させるSi表面修飾において、リソグラフィー技術を利用したパターン成長が大きな関心を集めている。本研究では従来半導体成長のパターン作製法として利用された例のない液相法により容易に大面積のパターン膜の生成が可能であること、またその細孔径が制御可能であることを示した。作製したパターン膜を利用した半導体のパターン成長が可能なことを実証しており、今後CNTの成長のみならず、半導体結晶のエピタキシャルパターン成長など多様な構造制御された半導体合成の可能性を示した点で有意義である。
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