研究課題/領域番号 |
18K04903
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 地方独立行政法人大阪産業技術研究所 |
研究代表者 |
御田村 紘志 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 森之宮センター, 主任研究員 (90437054)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2023-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | シルセスキオキサン / ナノ構造 / 相分離 / 光架橋反応 / 光反応 / リアルタイムIR / 光重合 / 高分子材料 / 光化学反応 / 高分子 / ナノ構造制御 |
研究成果の概要 |
光架橋反応や光酸塩基反応を利用した高分子材料のナノ構造化・多孔質化を行った。光架橋性シルセスキオキサン(SQ)とフェノール樹脂の複合膜に光ラジカル開始剤や光塩基発生剤などを添加し、UV照射後アルカリ処理することで、膜表面にナノ細孔を形成させることができた。また、このナノ構造は、UV照度や試料温度によって影響を受けたことから、SQの光反応性と密接に関連していることもわかった。さらに、当該SQの化学構造と光反応性や表面特性の相関についても評価を行い、光反応性と表面特性の両立が可能なSQ種の探索を行った。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
高分子材料のナノ構造化・ナノ多孔質化は材料の低屈折率化や低誘電率化に資することができ、光学材料や電子材料への応用が期待される。また、光架橋性SQの化学構造/光反応性/表面特性(表面硬度等)の相関関係を系統的に評価した研究はこれまでになかったため、用途に応じたSQを設計する上で有用な知見が得られた。
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