| 研究課題/領域番号 |
18K04932
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70436161)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2019年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2018年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | プローブ顕微鏡 / 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 誘電率分布計測 / 半導体計測 / 誘電体 / 誘電率イメージング / 半導体 / キャリア分布イメージング / 走査型プローブ顕微鏡 / 誘電率 |
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| 研究成果の概要 |
ナノスケール領域における誘電率イメージングは，微細化・高性能化が進む電子デバイスの発展と相まって，その重要性が今後ますます高まる評価技術の一つとなるものと考えられる．そこで本研究では10^-22 Fオーダという非常に高い静電容量検出感度を有する走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いて，線形誘電率のイメージングを可能とする手法（∂C/∂z-SNDM法）の開発を行った．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究を通じて∂C/∂z-SNDM法がナノスケール領域における誘電率分布を可視化する手法として有効であることが示された．本手法は今後様々な様々な測定対象に展開されてゆくと考えられる．具体的には，微細化するFETデバイス等における酸化膜のナノスケール評価への展開が期待される． また，近年開発が盛んなナノコンポジット材料やナノ結晶材料，ナノシート材料などの新奇ナノ材料も，本手法が有用となる測定対象の例として挙げることができる．
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