• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

メガソーラーを劣化させる電圧誘起ナトリウム集積のその場透過電子顕微鏡法による解明

研究課題

研究課題/領域番号 18K05009
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分31020:地球資源工学およびエネルギー学関連
研究機関東北大学

研究代表者

大野 裕  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80243129)

研究分担者 森戸 春彦  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80463800)
研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
研究課題ステータス 完了 (2020年度)
配分額 *注記
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2020年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2019年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2018年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワード電圧誘起ナトリウム集積 / シリコン太陽電池 / メガソーラー
研究成果の概要

透過電子顕微鏡法と第一原理計算より、p型シリコンには格子間ナトリウムが多量に導入でき、それらが積層欠陥と相互作用して積層欠陥エネルギーを下げるため、ナトリウムの移動・集積過程はシリコンの極性やフェルミ準位、小数キャリア密度に依存することを示した。また、積層欠陥や粒界が存在する実用太陽電池用のボロン添加p型ハイパフォーマンスシリコン多結晶において、ナトリウムは積層欠陥・粒界と優先的に反応し、その反応性は粒界エネルギーと相関があり、低エネルギーの∑3{111}粒界や積層欠陥よりも高エネルギーのランダム粒界や高∑値粒界の方が反応性が高いことが分かった。

研究成果の学術的意義や社会的意義

太陽電池中のナトリウムの移動・集積過程は、モジュール構造(ガラス、封止材の材質)、セル構造(基板、極性、キャリア濃度)、外部環境(雰囲気、電圧、光照射の条件)に複雑に依存する。セル化・モジュール化されていないシリコン単結晶へ意図的に積層欠陥とナトリウムを添加することで、シリコンの極性やフェルミ準位、小数キャリア密度に依存するナトリウムの移動・集積の素過程が初めて明らかになった。また、ナトリウムは積層欠陥だけでなく一般の粒界とも反応し、その反応性は粒界エネルギーに依存することも分かった。これらは、ナトリウムに関連する電圧誘起劣化が生じにくいシリコン太陽電池セルを設計する上で重要な情報である。

報告書

(4件)
  • 2020 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2019 実施状況報告書
  • 2018 実施状況報告書
  • 研究成果

    (20件)

すべて 2021 2020 2019 2018

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 4件) 学会発表 (15件) (うち国際学会 8件、 招待講演 4件)

  • [雑誌論文] Insight into segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, J. Ren, S. Tanaka, M. Kohyama, K. Inoue, Y. Shimizu, Y. Nagai, H. Yoshida
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 4 ページ: 041003-041003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abe80d

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, S. Takeda, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 525 ページ: 146610-146610

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2020.146610

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding2019

    • 著者名/発表者名
      Ohno Yutaka、Yoshida Hideto、Kamiuchi Naoto、Aso Ryotaro、Takeda Seiji、Shimizu Yasuo、Nagai Yasuyoshi、Liang Jianbo、Shigekawa Naoteru
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SB ページ: SBBB05-SBBB05

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4b15

    • NAID

      210000157282

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam2019

    • 著者名/発表者名
      Ohno Yutaka、Yoshida Hideto、Kamiuchi Naoto、Aso Ryotaro、Takeda Seiji、Shimizu Yasuo、Ebisawa Naoki、Nagai Yasuyoshi、Liang Jianbo、Shigekawa Naoteru
    • 雑誌名

      Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration

      巻: - ページ: 55-55

    • DOI

      10.23919/ltb-3d.2019.8735379

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon with different Fermi levels2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 6 ページ: 61303-61303

    • DOI

      10.7567/apex.11.061303

    • NAID

      210000136222

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] 低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価2021

    • 著者名/発表者名
      大野裕
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第77回学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, J. Liang, Y. Shimizu, H. Yoshida, N. Shigekawa
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) 2020 Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME) 2020
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 表面活性化接合法で作成したSi/ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の微視的描像2020

    • 著者名/発表者名
      大野裕
    • 学会等名
      独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第28回研究会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価2020

    • 著者名/発表者名
      大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明2020

    • 著者名/発表者名
      大野裕
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響2019

    • 著者名/発表者名
      大野裕
    • 学会等名
      独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第22回研究会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa
    • 学会等名
      6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa
    • 学会等名
      30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Atomistic structure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface activated bonding revealed by STEM combined with low-temperature FIB2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, R. Aso, N. Kamiuchi, H. Yoshida, J. Liang, N. Shigekawa
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) 2019 Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 収束イオン線を用いた半導体界面の解析におけるアーチファクト2019

    • 著者名/発表者名
      大野裕, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 神内直人, 麻生亮太郎, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第75回学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価2019

    • 著者名/発表者名
      大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人,吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon crystals with different doping levels2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga
    • 学会等名
      10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Interaction of Na atoms with stacking faults in Si with different Fermi levels2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Morito, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
    • 学会等名
      Extended Defects in Semiconductors (EDS) 2018
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Stability of Na atoms at stacking faults in Si depending on the Fermi level2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) 2018 Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会

URL: 

公開日: 2018-04-23   更新日: 2022-01-27  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi