| 研究課題/領域番号 |
18K05281
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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| 研究機関 | 甲南大学 |
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研究代表者 |
鶴岡 孝章 甲南大学, フロンティアサイエンス学部, 准教授 (20550239)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 金属有機構造体（MOF） / 配位高分子 / 自己組織化 / 金属有機構造体 / 薄膜 / パターニング / 界面合成 / 反応速度 / MOF薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
金属イオンドープ基板を金属有機構造体（MOF）形成における前駆体として用い、核形成および核成長速度制御に基づくMOF連続膜形成技術の開発を行った。その結果、基板にドープした金属イオンの溶出速度および錯形成速度を調整することによりMOF結晶における核形成・核成長速度を制御することが可能であった。核形成・核成長速度を制御することによりMOF膜を形成する結晶サイズを制御することが可能となり、さらにそれぞれの結晶が融合した連続膜を形成することに成功した。本手法は、様々なMOFだけではなく、結晶内に孔を有していない配位高分子などに対しても適用可能であることを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
これまでのMOF薄膜形成プロセスとは異なり金属イオンドープ基板を反応前駆体およびMOF膜支持基板として用い、その成長過程を基礎学術的な物理化学に基づき解析したことにより、MOF合成プロセスにおいて未知であった反応初期過程における成長を可視化したことは非常に意義深い結果であると考えられる。また、MOF薄膜は物質分離膜としての応用展開が期待されており、MOF分離膜開発においても非常に有用な知見になり得ると考えられる。
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