| 研究課題/領域番号 |
18K11229
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分60040:計算機システム関連
|
|---|
| 研究機関 | 大阪工業大学 |
|---|
研究代表者 |
牧野 博之 大阪工業大学, 情報科学部, 教授 (50454038)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2020年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2019年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2018年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
|
|---|
| キーワード | SRAM / ばらつき / モンテカルロシミュレーション / 動作限界 / 閾値電圧 / 書き込み動作 / 読み出し動作 / データ保持動作 / しきい値電圧 |
|---|
| 研究成果の概要 |
MOSトランジスタの微細化によって閾値電圧のランダムなばらつきが増大し、SRAMの安定動作が困難になる問題に対し、1次元縮退モデルの適用によるモンテカルロシミュレーションの回数削減手法を提案し、これによってSRAMの動作の可否を判断するために必要なシミュレーション回数を2桁以上削減することに成功した。さらにこの手法を用いて、様々な閾値電圧の仕上がり状況に対してSRAMの動作不良率を調べることにより、SRAMの規模に応じた動作限界を明らかにした。本研究成果によって、SRAMの動作限界を少ないシミュレーション回数で見極めることができ、SRAMの設計を容易化することができる。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
近年、微細化に伴うMOSトランジスタの閾値電圧のばらつきが増大し、多ビットSRAMの設計が困難になっている。SRAMはすべてのLSIに使用される重要な記憶素子であり、安定動作のためにはばらつきを考慮した動作限界の見極めが必須である。ばらつきを正しく扱うためにはモンテカルロシミュレーションが有効であるが、計算回数が膨大で、長時間を要してしまうという問題がある。本研究では、1次元縮退モデルという新たなアイデアを適用することによって、シミュレーション回数を劇的に削減することに成功し、動作限界を明らかにした。提案した手法は、あらゆるLSIに適用可能であり、学術的・社会的意義の高いものである。
|
