| 研究課題/領域番号 |
18K13990
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
井手 啓介 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (70752799)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2020-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
|
|---|
| キーワード | アモルファス酸化物半導体 / 電界効果トランジスタ / 欠陥制御 |
|---|
| 研究成果の概要 |
次世代の高速・透明ディスプレイに向けて、良好な電気特性や小さい光応答を示すアモルファス酸化物半導体(AOS)材料の開発が求められている。しかし、高性能を期待できる材料は欠陥制御が困難、というトレードオフの関係が知られており、新たな欠陥制御技術の開発が望まれていた。そこで本研究では電界効果や水素を使った独自の欠陥制御技術を確立し、高性能なトランジスタを実証することを目的とした。4eVを超える超ワイドバンドギャップをもつa-GaOであっても水素を添加することで欠陥制御ができ、トランジスタの動作電圧を改善できることを見出した。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、新規作製プロセスの開発にとどまらず、さらに発展してAOS中の欠陥の起源解明、環境フレンドリーな水素を使った手法への展開、さらには実デバイスの実証を行ったものである。特に今回着目したアモルファス酸化ガリウムは、室温で作製できる唯一の超ワイドバンドギャップ半導体であり、その一番の課題であるキャリアドーピングの課題を解決しうるものである。今後のフレキシブルパワーエレクトロニクス発展へ寄与できる結果であると考えられる。
|
