| 研究課題/領域番号 |
18K14026
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
會田 英雄 長岡技術科学大学, 工学研究科, 准教授 (10811648)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | ヘテロエピタキシャル成長 / ダイヤモンド / プラナリゼーション / 化学機械研磨 / ヘテロエピタキシャルダイヤモンド / イリジウム / 原子オーダープラナリゼーション |
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| 研究成果の概要 |
大型ダイヤモンド基板実用化に向けて、新しいダイヤモンド成長プロセスを提案し、そのキーとなるダイヤモンド下地構造としてIr/Si基板構造の作成に取り組んだ。本プロセスの実現には、Ir薄膜の接合転写技術が新たに必要となり、そこでは極微少量プラナリゼーションCMP加工技術が必須である。これは従来研磨技術では困難であることから、磁気浮上機構搭載型研磨加工機を設計試作することで達成し、最終的に目的とするIr薄膜/Si基板構造が得られた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究はダイヤモンド成長に使用するIr薄膜/Si基板構造を達成した。従来のダイヤモンド成長用のIr/MgO下地基板構造ではダイヤモンドとMgO基板との1桁以上異なる熱膨張係数差によりダイヤモンド成長にクラックが発生し、ダイヤモンドの大型化を妨げていた。一方、本研究で達成した構造では熱膨張係数差は殆ど発生せず、クラックフリーダイヤモンド成長が理論的に可能である。これにより、ダイヤモンドを用いた高効率なパワーエレクトロニクスデバイスの実現性を高めることができた。
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