| 研究課題/領域番号 |
18K14096
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
J. Wipakorn 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (40748216)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2019年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | Nanostructures / Nanowires / Silicon / Germanium / Nanowire / Vapor-liquid-solid / Aluminum / nanowire / silicon / aluminium |
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| 研究成果の概要 |
表面処理を施した基板上への多機能Al触媒SiNW成長に成功したので報告する。まず、VLS法を用いたSiNW形成について、成長パラメータの影響を調査した。Al触媒SiNWによるソーラーセル形成では、変換効率が9％を超えた。ケミカルエッチングとポストメカニカルポリッシングを施したフレキシブル基板上に形成された薄膜SiNWソーラーセルの変換効率は5.0%以上を達成した。続いて、i-Ge/p-Siコアシェルとコアダブルシェル、それぞれのNW構造による、NWトランジスタ形成を調査した。薄膜B-doped Si中間層の形成と最外層p-SiシェルへのBドーピングにより、キャリア生成性能の向上を達成した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
All functionalized SiNW formations together with device demonstration encourage the increased ability to widespread SiNW-based applications with low-cost materials and high throughput techniques as new alternative SiNWs and nanostructures providing for future technology.
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