| 研究課題/領域番号 |
18K14139
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
Pham Hoang.Anh 島根大学, 学術研究院理工学系, 助教 (60750213)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2020年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | Thin film / Single Crystal / Laser annealing / Metal film / Crystal orientation / Crystal growth / Microstructure control / Characterization / Aluminum film / Gold film / Selective growth / Single crystal / Selective grain growth / Crystallization |
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| 研究成果の概要 |
レーザービーム走査を用いて、熱蒸着したAl薄膜とスパッタ蒸着したAu薄膜上に単結晶結晶縞を成長させることに成功した。 レーザービーム走査により、Au薄膜上に単粒結晶を成長させるために必要な条件を確立した。 金属薄膜上での単結晶結晶成長の場合、過度のアブレーションなしに完全な溶融プールを維持するようにレーザービームを制御する必要がある。 単粒結晶成長のメカニズムとその結晶方位選択を解明した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
We have grown single-grain crystal line on Al and Au thin films. The laser parameters have been determine to control the crystal orientation of the crystals. The mechanism of crystal orientation selection has been clarified. The results have applications in microelectronic and plasmonic devices.
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