| 研究課題/領域番号 |
18K14140
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
富永 依里子 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授 (40634936)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2020年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2019年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2018年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | Bi系III-V族半導体 / 低温成長 / 点欠陥 / 超格子 / 光伝導アンテナ / GaAs系半導体混晶 / X線回折法 / ラザフォード後方散乱法 / Bi系III-V族半導体混晶 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では光通信帯光源が利用可能なテラヘルツ波発生検出用光伝導アンテナの実現を最終目的とした。研究代表者が独自に着眼している低温成長ビスマス（Bi）系III-V族半導体混晶の超格子構造の実現に向け、当該研究期間においては、分子線エピタキシャル（MBE）成長法による250℃以下の低温成長InGaAsと低温成長GaAsBiのMBE成長条件とその結晶性、点欠陥の種類などの種々の基礎物性のベースを明らかにすることができた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
Bi系III-V族半導体のMBE成長中の点欠陥形成メカニズムやそれら点欠陥とBi原子との複合欠陥の結晶内での配置は、当該半導体においてはほとんど未解明である。これらを材料科学や結晶工学の観点から明らかにしつつ、従来は排除される方向にあった結晶欠陥を生かしながら当該半導体の低温成長領域を新たに開拓し、新規テラヘルツデバイスを実現しようという点に本研究の新しさやオリジナリティがある。本研究成果は、その基礎となる最初の知見やデータであり、今後の低温成長Bi系III-V族半導体の物性解明や結晶成長条件の探索の方向性を定めたものと学術的に位置付けることができる。
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