| 研究課題/領域番号 |
18K18810
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
山村 和也 大阪大学, 工学研究科, 教授 (60240074)
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| 研究期間 (年度) |
2018-06-29 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2019年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2018年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 電気化学機械研磨 / スラリーレス / 難加工材料 / SiC / シリコンカーバイド / GaN |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、スラリーレスの電気化学機械研磨（ECMP）を提案し、4H-SiC(0001)に対する研磨特性を評価した。本研磨法をスライス面の研磨に適用した結果、10-23μm/hの研磨レートと1 nm Sq以下の表面粗さを得た。また、粗ECMPと仕上げECMPから成る2ステップスラリーレスECMPを適用することで、0.2 nm Sqの表面粗さを高能率に得ることに成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、酸化により形成した軟質膜を母材よりも軟質な砥粒によって積極的に除去することで形状創成や表面仕上げをおこなうという、通常の陽極酸化の目的とは逆転する発想に基づいた新しい加工法を開発し、その有用性を実証したことに工学的な意義がある。
また、提案する加工法は、従来のCMP装置と比較して装置構成が極めて単純であり、装置コストの大幅な低減が期待できる一方、現状の研磨プロセスでは使用することが常識となっているスラリーを全く使用しないという革新的なプロセスであり、低環境負荷と研磨プロセスの低コスト化を実現する新しい加工法として従来プロセスを凌駕する点において社会的な意義がある。
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