| 研究課題/領域番号 |
18K18859
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
浜屋 宏平 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90401281)
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| 研究分担者 |
山田 晋也 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (30725049)
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| 研究期間 (年度) |
2018-06-29 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2019年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2018年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / フレキシブル / スピン / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，新しいフレキシブルエレクトロニクス産業基盤となり得る「高性能・低消費電力フレキシブルスピン薄膜トランジスタ(TFT)実現の可能性を探索した．低温ゲートスタック作製技術を用いて，擬似単結晶GeフレキシブルTFTを実証した．フレキシブル基板上に低温形成した擬似単結晶Ge薄膜上への結晶性Co系ホイスラー合金薄膜の低温形成を実証した．これらの成果は，高性能フレキシブルスピンTFT実現への重要な指針を示すものである．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では，これまでのフレキシブルエレクトロニクスの概念を覆す「結晶性半導体を用いた高性能フレキシブルエレクトロニクスシステム」のコアとなる技術を開発するための基礎検討を行い、比較的性能の高いフレキシブルスピンTFTの実現の可能性を示した．スマートフォン市場で低消費電力化に貢献したIGZOなどの次世代を担う革新的フレキシブル基盤技術の創成であると期待され，挑戦的研究として十分な意義がある．また，エレクトロニクス分野全体の学術・研究体系を大きく変革する可能性を秘めた意義深い研究でもある．
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