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グラフェン太陽電池の開発

研究課題

研究課題/領域番号 18K18998
研究種目

挑戦的研究(萌芽)

配分区分基金
審査区分 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
研究機関名古屋大学

研究代表者

齋藤 永宏  名古屋大学, 未来社会創造機構(工), 教授 (00329096)

研究期間 (年度) 2018-06-29 – 2020-03-31
研究課題ステータス 完了 (2019年度)
配分額 *注記
6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2019年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2018年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
キーワードヘテログラフェン / ソリューションプラズマ / p型半導体 / n型半導体 / 太陽電池 / p-n接合
研究成果の概要

本研究では、グラフェン太陽電池の開発を行う。現在まで、均一なn型グラフェン半導体及びp型グラフェン半導体の開発には成功していない。均一なn型グラフェン半導体及びp型グラフェン半導体を接合し、透明導電性グラフェンを電極に使用することにより、オールグラフェン太陽電池の作製に挑戦した。
その結果、高結晶性p型グラフェンおよびn型グラフェンの合成に成功した。 そこで、まずp型とn型半導体特性の効率を見るために、最近活性層で使用されるペロブスカイトを用いて予備実験を実施した結果、n型グラフェンとp型グラフェンの両方が太陽電池の効率を向上させる可能性があることが分かった。

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究では、まず、n型グラフェンとして、ソリューションプラズマ合成技術により1-エチル-3-メチルイミダゾリウムジシアナミドを原料として陽イオン性注窒素の導入を行った結果、その平面性を維持することを可能にした。15%以上の窒素を含み、かつ、高い結晶性・平面性を有するグラフェンとしては、世界で唯一の材料である。この半導体特性を調べた結果、p型半導体特性を示すことが分かった。また、p型とn型半導体特性の効率を見るために、活性層で使用されるペロブスカイトを用いて予備実験を実施した結果、n型グラフェンとp型グラフェンの両方が太陽電池の効率を向上させる可能性があることが分かった。

報告書

(3件)
  • 2019 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2018 実施状況報告書
  • 研究成果

    (1件)

すべて 2019

すべて 雑誌論文 (1件) (うち国際共著 1件、 査読あり 1件)

  • [雑誌論文] p-Type Doping of Graphene with Cationic Nitrogen2019

    • 著者名/発表者名
      Chae Sangwoo、Panomsuwan Gasidit、Bratescu Maria Antoaneta、Teshima Katsuya、Saito Nagahiro
    • 雑誌名

      ACS Applied Nano Materials

      巻: 2 号: 3 ページ: 1350-1355

    • DOI

      10.1021/acsanm.8b02237

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著

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公開日: 2018-07-25   更新日: 2021-02-19  

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