| 研究課題/領域番号 |
18KK0414
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| 研究種目 |
国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(A))
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 成蹊大学 |
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研究代表者 |
三浦 正志 成蹊大学, 理工学部, 教授 (10402520)
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| 研究期間 (年度) |
2018 – 2020
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
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| キーワード | 強磁性材料 / トポロジカル絶縁体 / 磁気抵抗メモリ / 超伝導 / 酸化物強磁性材料 / 圧電材料 / ナノ歪 / 電気材料 / スピンデバイス / 強磁性薄膜 / 歪制御 / ナノコンポジット薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、人工ナノひずみ制御技術を熱電や超伝導だけでなく、スピントロニクスデバイスに発展させることを目指した。成果として(1)銅酸化物超伝導薄膜に新たなひずみを導入し、電気特性向上に成功した。(2)新ニッケル酸化物超伝導薄膜へのひずみの影響を調べるために、還元処理によりひずみを制御し、従来の超伝導とは異なる特徴的な振舞いを見出した。(3)酸化物強磁性薄膜へのひずみを印加するため、異なる基板上に酸化物強磁性薄膜を作製し、磁化特性の向上に成功した。(4)磁気抵抗メモリ応用に期待されているトポロジカル絶縁体/磁性薄膜へのひずみを印加・制御するため、熱処理によりひずみ制御した薄膜は高い特性を示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
電気電子材料のなかでも超伝導、熱電やスピントロニクス材料などの機能性エピタキシャル薄膜は、SDGsやSociety5.0社会に役立つ様々な応用に期待されている。本研究で開発した独自「ナノコンポジット薄膜創製」、「キャリア制御」「ひずみ制御」「界面制御」等の新技術は、様々な機能性電気電子材料の金属-絶縁転移、超伝導特性、磁性特性、熱電特性、スピンホール特性などの機能を最大限に引き出す手段として有用な技術である。
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