| 研究課題/領域番号 |
19104008
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高木 英典 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40187935)
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| 研究分担者 |
高山 知弘 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (40435657)
ファン ハロルド 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 准教授 (30361611)
花栗 哲郎 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (40251326)
松野 丈夫 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
井上 公 独立行政法人理化学研究所, 強相関電子技術センター, 主任研究員 (00356502)
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| 連携研究者 |
ファン ハロルド スタンフォード大学, 応用物理学科, 教授 (30361611)
花栗 哲郎 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (40251326)
松野 丈夫 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
井上 公 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス部門, 主任研究員 (00356502)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
110,240千円 (直接経費: 84,800千円、間接経費: 25,440千円)
2011年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2010年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
2009年度: 15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
2008年度: 33,930千円 (直接経費: 26,100千円、間接経費: 7,830千円)
2007年度: 41,080千円 (直接経費: 31,600千円、間接経費: 9,480千円)
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| キーワード | 酸化物トランジスタ / 超伝導 / 抵抗変化メモリ / スピン軌道相互作用 / 強相関エレクトロニクス / 遷移金属酸化物 / 表面・界面物性 / 二次元電子系 / 半導体物性 |
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| 研究概要 |
本研究は酸化物デバイスの学理構築、および電界誘起物性の開拓を目指した。SrTiO3トランジスタを構築し、界面二次元電子系での絶縁体-超伝導転移を実現した。二元系遷移金属酸化物の抵抗スイッチング現象について、母体酸化物の還元で生じる伝導フィラメントの可視化に成功した。電界効果とスピン軌道相互作用をキーワードとして重い5d遷移金属酸化物に着目し、イリジウム酸化物の新奇スピン軌道誘起電子相を開拓した。
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