| 研究課題/領域番号 |
19106006
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(S)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 早稲田大学 |
|---|
研究代表者 |
川原田 洋 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90161380)
|
|---|
| 研究分担者 |
立木 実 (独)物質材料研究機構 (50318838)
梁 正勲 早稲田大学, 付置研究所, 助手 (80409680)
岩崎 孝之 早稲田大学, 理工学術院, 助手 (80454031)
|
|---|
| 連携研究者 |
高野 義彦 (独)物質材料研究機構 (10354341)
梁 正勲 早稲田大学, 理工学術院 (80409680)
岩 孝之 早稲田大学, 理工学術院 (80454031)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
102,180千円 (直接経費: 78,600千円、間接経費: 23,580千円)
2010年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2009年度: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2008年度: 29,510千円 (直接経費: 22,700千円、間接経費: 6,810千円)
2007年度: 41,600千円 (直接経費: 32,000千円、間接経費: 9,600千円)
|
|---|
| キーワード | 電子デバイス / 電子デバイス・集積回路 / 薄膜・量子構造 / マイクロ波・ミリ波 / 表面・界面 / 半導体 / 微細プロセス技術 |
|---|
| 研究概要 |
ダイヤモンドは降伏電界が半導体中最も高く、物質中最高の熱伝導率をもち、従来の半導体で不可能であった高出力高周波デバイスや低損失電力素子が期待される。本研究では、ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)の性能を表面やバルクでの異種原子制御より向上させ、ミリ波帯で動作する高周波デバイスや超伝導ダイヤモンドを利用した新機能デバイスの開発を行った。この結果、現在の半導体でのFETの最大級の電流密度1A/mmを達成し、ミリ波帯に入る50GHz近くでの動作およびSiおよびGaAs等の従来の半導体を越えるGHz帯での高い電力制御を可能とした。400℃での高温動作も可能とした。また、ダイヤモンド超伝導を利用したジョセフソン接合でテラヘルツ帯の特性振動数を得た。
|
