| 研究課題/領域番号 |
19106007
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
羽根 一博 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50164893)
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| 研究分担者 |
胡 芳仁 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50396545)
佐々木 実 豊田工業大学, 工学部, 教授 (70282100)
金森 義明 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10333858)
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| 連携研究者 |
金森 義明 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10333858)
佐々木 実 豊田工業大学, 工学部, 教授 (70282100)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
108,810千円 (直接経費: 83,700千円、間接経費: 25,110千円)
2011年度: 18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2010年度: 20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円)
2009年度: 21,580千円 (直接経費: 16,600千円、間接経費: 4,980千円)
2008年度: 23,790千円 (直接経費: 18,300千円、間接経費: 5,490千円)
2007年度: 24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円)
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| キーワード | 光デバイス / 集積化 / MEMS / 窒化物半導体 / マイクロマシニング / 光集積デバイス / シリコンデバイス |
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| 研究概要 |
Siの立体構造およびマイクロアクチュエータとGaN系光源デバイスをモノリシックに集積することで, 高機能で集積度の高い光応用のマイクロ電気機械システム(MEMS)を実現した.具体的には, Si基板上GaN-発光ダイオード(LED)の結晶成長, 微細加工を施したSi/GaN基板上GaN結晶成長, GaN-LEDとSiアクチュエータの集積, GaNアクチュエータの製作を行った.GaN-LEDとSi-MEMSを集積した配光可変デバイスおよび蛍光分析チップなどを実現した.
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