| 研究課題/領域番号 |
19200044
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
医用システム
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
安田 和人 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60182333)
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| 研究分担者 |
ニラウラ マダン 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20345945)
富田 康弘 浜松ホトニクス(株), 電子管事業部, 専任部員 (50394169)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
35,620千円 (直接経費: 27,400千円、間接経費: 8,220千円)
2009年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2008年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2007年度: 27,430千円 (直接経費: 21,100千円、間接経費: 6,330千円)
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| キーワード | 放射線検出器 / カドミウムテルル / ヘテロ接合ダイオード / 有機金属気相成長法 / エネルギー弁別機能 / 放射線画画像検出器 / テルル化カドミウム / 成長前処理 / 検出器アレイ / 厚膜層成長 / ヨウ素ドーピング / 自己補償機構 |
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| 研究概要 |
有機金属気相成長法によるSi基板上の単結晶CdTe厚膜層を用いて、入射X線に対するエネルギー識別機能を持つ、アレイ型大面積X線画像検出器を実現することを目的として、p-CdTe高抵抗厚膜層/n-CdTe低抵抗バッファ層/n^+-Si構造の検出器の高性能化を検討した。ヨウ素を不純物としたp-CdTe高抵抗層とn-CdTe低抵抗層の成長条件を確立した。さらに大面積の高品質CdTe層の成長に不可欠なSi基板の成長前処理技術を確立した。
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