| 研究課題/領域番号 |
19201019
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
羽田 肇 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, センター長 (70354420)
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| 研究分担者 |
大橋 直樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, センター長 (60251617)
和田 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (90343847)
坂口 勲 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343866)
遊佐 斉 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノスケール物質萌芽ラボ, 主幹研究員 (10343865)
安達 裕 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主任研究員 (30354418)
菱田 俊一 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 主席研究員 (40354419)
齋藤 紀子 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 主任研究員 (20354417)
大垣 武 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 研究員 (80408731)
石岡 邦江 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ計測センター, 主幹研究員 (30343883)
北島 正弘 防衛大学校, 大学院・理工学研究科, 教授 (00343830)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
48,100千円 (直接経費: 37,000千円、間接経費: 11,100千円)
2009年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2008年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2007年度: 33,020千円 (直接経費: 25,400千円、間接経費: 7,620千円)
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| キーワード | 同位体 / フォノン / 酸化物半導体 / 窒化物半導体 / 人工超格子 / 拡散 / SIMS |
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| 研究概要 |
ワイドギャップ化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)を対象として、電子状態は同じであるが質量数が異なる同位元素を任意に分布させた人工超格子構造を作製した。作製した超格子構造について、同位元素の変調ドーピングに伴う格子振動、および、結晶学的、光学的な変化について調査した。さらに、同位元素の質量差を利用した精密な質量分析を実施し、正確な拡散係数の算出、および、薄膜の欠陥構造、微粒子の成長機構の解明に成功した。
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