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表面弾性波による半導体量子構造の電子状態の観測と制御

研究課題

研究課題/領域番号 19204033
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅰ
研究機関東京工業大学 (2008-2009)
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 (2007)

研究代表者

藤澤 利正  東京工業大学, 極低温物性研究センター, 教授 (20212186)

研究分担者 熊田 倫雄  日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子固体物性研究グループ, 研究主任 (30393771)
研究期間 (年度) 2007 – 2009
研究課題ステータス 完了 (2009年度)
配分額 *注記
45,500千円 (直接経費: 35,000千円、間接経費: 10,500千円)
2009年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
2008年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2007年度: 25,220千円 (直接経費: 19,400千円、間接経費: 5,820千円)
キーワード物性実験 / 半導体物性 / メゾスコピック系 / 量子ドット / 低温物性
研究概要

本研究は、半導体量子構造における電子状態と表面弾性波(SAW)フォノンとの相互作用を研究し、電子状態を観測するスペクトロスコピー技術の確立や、電子格子相互作用の人為的制御を目指すものである。SAWのみならず、量子ホール領域で試料端を伝搬するエッジマグネトプラズモン(EMP)や、印加した高周波電界など様々な時間依存ポテンシャルによる効果を視野に入れ、二次元量子ホール系と零次元量子ドット系という代表的な量子構造での研究を進めている。今年度は、試作したSAWキャビティの評価、SAW伝搬のシミュレーションのほか、結合二重量子ドットの相関トンネリングの観測、EMP波束のスクリーニング効果、二層系量子ホール状態に関する成果を得た。主な内容は下記のとおりである。
1:結合二重量子ドットの電流ドラッグ効果:2つの二重量子ドット素子を流れる電流の相関に注目し、非常に大きな電流ドラッグ効果が得られることを示した。空間的に離れた2つの電子が同時にトンネルする2種類のコトンネリングを利用して、正または負の相関をもつドラッグ電流を得ることが出来る。その電流値の比は30%に達し、電流ミラー素子などへの応用が期待される。
2:EMP伝搬速度のメカニズム:我々は、量子ホールエッジ状態を伝搬するEMPの群速度がゲート電圧に依存することを見いだし、可変遅延制御素子として働くことを示してきた。そのメカニズムを検討し、ゲート電極による遮蔽効果が主な原因であることを確認した。ゲート電圧の変化によって、エッジチャネルと金属電極との距離が遠くなると、遮蔽効果が薄れ速度が上昇すると考えられる。このことは、複数のエッジチャネルに速度差が生じることを示唆しており、発展性が見込まれる。

報告書

(3件)
  • 2009 実績報告書
  • 2008 実績報告書
  • 2007 実績報告書
  • 研究成果

    (18件)

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (13件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Correlation Measurement of Time-Dependent Potentials in a Semiconductor Quantum Point Contact2009

    • 著者名/発表者名
      H.Kamata, T.Ota, T.Fujisawa
    • 雑誌名

      Japan.J.Appl.Phys 48

    • NAID

      210000066660

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time-Dependent Local Potential Induced by Scanning Gate Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Z.Z.Wang, D.M.Chen, T.Ota, T.Fujisawa
    • 雑誌名

      Japan.J.Appl.Phys 48

    • NAID

      210000066659

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electric Field Induced Nuclear Spin Resonance Mediated by Oscillating Electron Spin Domains in GaAs-Based Semiconductors2008

    • 著者名/発表者名
      N. Kumada, T. Kamada, S. Miyashita, Y. Hirayama, T. Fujisawa
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett. 101

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interaction of a 2-level system with 2D phonons2007

    • 著者名/発表者名
      W.J.M. Naber, T. Fujisawa, H.W. Liu and W.G. van der Wiel
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings, W. Jantsch and F.S chaffler(Eds.), Melville/New York(2007). 893

      ページ: 755-755

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定2009

    • 著者名/発表者名
      鎌田大, 太田剛, 村木康二, 藤澤利正
    • 学会等名
      物理学会(28aTX4)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2009-03-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 半導体結合量子ドットによる量子情報デバイス2009

    • 著者名/発表者名
      藤澤利正
    • 学会等名
      シリコンナノテクノロジー研究集会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2009-03-16
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Velocity Controlled Delay Line for Electron Wavepacket in the Quantum Hall Regime2009

    • 著者名/発表者名
      H. Kamata, T. Ota, K. Muraki, T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Correlated Coherent Oscillations in Coupled Semiconductor Charge Qubits2009

    • 著者名/発表者名
      G. Shinkai, T. Ota, T. Hayashi, T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscale Transport and Technology(ISNTT2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Nuclear Magnetic Probing of Electron Spin Physics in Quantum Hall Systems2009

    • 著者名/発表者名
      N. Kumada, K. Muraki, T. Fujisawa, Y., Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Demonstration of first- and second-order coherent oscillations in semiconductor charge qubits2009

    • 著者名/発表者名
      G. Shinkai, T. Ota, T. Hayashi, T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscience and Quantum Physics(nanoPHYS' 09)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Dynamics of electron transport in semiconductor nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscience and Quantum Physics(nanoPHYS' 09)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 静電的ゆらぎによる二重量子ドット電荷量子ビットのデコヒーレンス2008

    • 著者名/発表者名
      新海剛, 太田剛, 林稔晶, 藤澤利正
    • 学会等名
      物理学会20pYF-11
    • 発表場所
      岩手
    • 年月日
      2008-09-20
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 半導体ポイント接合の時間依存ポテンシャルの相関測定2008

    • 著者名/発表者名
      藤澤 利正,梶浦 亮,鎌田 大,太田 剛
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-03-27
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Electric-field-induced nuclear spin resonance mediated by the hyperfine interaction2008

    • 著者名/発表者名
      N. Kumada, T. Kamada, Y. Hirayama, S. Miyashita, T. Fujisawa
    • 学会等名
      International conference on the physics in semiconductors (ICPS-29)
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Controlled coherent oscillations in electrostatically-coupled qouble-quantum-dot qubits2008

    • 著者名/発表者名
      G. Shinkai, T. Ota, T. Hayashi, T. Fujisawa
    • 学会等名
      International conference on the physics in semiconductors (ICPS-29)
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Correlation Measurement of Time-dependent Potentials in a Semiconductor Point Contact2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kamata, T. Ota, T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Materials and Devices (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Time-dependent Local Potential Induced by Scanning Gate Microscopy2008

    • 著者名/発表者名
      Z. Wang, D. Chen, T. Fujisawa
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Materials and Devices (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://fujisawa.phys.titech.ac.jp/

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

URL: 

公開日: 2007-04-01   更新日: 2020-05-15  

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