| 研究課題/領域番号 |
19205026
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
谷口 尚 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノスケール物質萌芽ラボ, グループリーダー (80354413)
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| 研究分担者 |
渡邊 賢司 (渡辺 賢司) 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343840)
小泉 聡 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 主幹研究員 (90215153)
小林 一昭 独立行政法人物質・材料研究機構, 計算科学センター, 主幹研究員 (00354150)
大場 史康 京都大学, 工学研究科, 准教授 (90378795)
山田 貴壽 (山田 貴寿) 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノチューブ応用研究センター, 研究員 (30306500)
津田 統 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, NIMS特別研究員 (10242041)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
49,790千円 (直接経費: 38,300千円、間接経費: 11,490千円)
2010年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2009年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2008年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
2007年度: 15,730千円 (直接経費: 12,100千円、間接経費: 3,630千円)
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| キーワード | 遠紫外線発光 / 六方晶窒化ホウ素 / 自由励起子発光 / 高圧結晶合成 / 深紫外線発光 / 金属フラックス結晶成長 / 電子線励起型紫外線発光デバイス / 紫外線殺菌 / グラフェンデバイス用基板 |
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| 研究概要 |
六方晶窒化ホウ素(hBN)の深紫外線(DUV)発光材料としてのポテンシャルを、世界に先駆けて開花させることを目的として、高圧下溶媒法による高純度hBN単結晶合成とその評価、Ni系合金溶媒による常圧下での高純度結晶成長技術を確立した。高純度 hBN単結晶の光物性評価により、その発光メカニズムを明らかにし、更にhBNの発光デバイス応用ための基礎的な取り組みとして、電子線励起型のDUV発光素子を試作した。光出力(0.2mW)の安定遠紫外光源の試作に成功し、実際の殺菌試験に適用し、その有用性を検証した。
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