| 研究課題/領域番号 |
19206001
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
小長井 誠 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40111653)
|
|---|
| 研究分担者 |
山田 明 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40220363)
宮島 晋介 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (90422526)
阿部 克也 信州大学, 工学部, 准教授 (70334498)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
48,620千円 (直接経費: 37,400千円、間接経費: 11,220千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2008年度: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2007年度: 21,840千円 (直接経費: 16,800千円、間接経費: 5,040千円)
|
|---|
| キーワード | 太陽光発電 / 太陽電池 / ヘテロ接合 / シリコン太陽電池 |
|---|
| 研究概要 |
新しいヘテロ接合構造を提案することによって、シリコン太陽電池の変換効率向上に関する研究を行った。その結果、基板にp形Si、ワイドギャップn形層に微結晶3C-SiCを用いて、a-AlOを裏面パッシベーションに用いたポイントコンタクトセルで、世界で初めて16%を超す変換効率を達成した。また、p形Siの光照射側にn形微結晶Si/アンドープSiO界面層を、裏面にp形微結晶SiOを用いた新型ヘテロ接合Si太陽電池により18.5%の変換効率を得るなど、ほぼ変換効率目標を達成した。
|
