| 研究課題/領域番号 |
19206003
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
三木 一司 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, グループリーダー (30354335)
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| 研究分担者 |
日塔 光一 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, 研究業務員 (20421414)
坂本 邦博 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主幹研究員 (50357109)
川畑 史郎 (川畑 史朗) 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (30356852)
深津 晋 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 教授 (60199164)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
40,430千円 (直接経費: 31,100千円、間接経費: 9,330千円)
2010年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
2008年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
2007年度: 14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
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| キーワード | 結晶工学 / 結晶成長 / 半導体物性 / 量子コンピュータ / MBE・エピタキシャル / MBE・エピタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
シリコン結晶中に多元素を重畳δドーピングする手法として、特異な表面構造をドーピング源として利用し、瞬時レーザアニールにより構造破壊無しでδドーピング層を活性化する、2段階手法を提唱した。特異な表面構造としてシリコン(001)表面上のビスマス原子細線を選択し、細線中元素をエルビウム元素に一部置換する事により、シリコン中への二元素重畳δドーピングを実証した。瞬時レーザアニールは欠を誘起するが、追加の炉低温アニールにより除去できた。この構造欠陥はGセンターと呼ばれるもので、光学的に利得がある可能性が示唆されている。Gセンターをレーザ材料として検討できるように、高濃度Gセンターのシリコン試料を作製する手法を提案し、エレクトロルミネッセンス発光の確認を行った。
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