| 研究課題/領域番号 |
19206005
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
藤川 安仁 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70312642)
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| 研究分担者 |
AL-MAHBOOB A 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (10455850)
小野 崇人 東北大学, 工学研究科, 准教授 (90282095)
秋山 琴音 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (60447175)
CHEN Mingwei 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20372310)
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| 連携研究者 |
小野 崇人 東北大学, 工学研究科, 教授 (90282095)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
43,160千円 (直接経費: 33,200千円、間接経費: 9,960千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2007年度: 33,280千円 (直接経費: 25,600千円、間接経費: 7,680千円)
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| キーワード | 走査プローブ顕微鏡 / 低次元電気伝導 / 薄膜成長 / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
Si(111)-SOI構造を介したGaNのSi(001)に対する接合構造をMBE法により作成し、Si(111)-SOI構造の面方位変換が対称性の異なる系の接合に有用である事を示した。また、操作トンネル顕微鏡および4探針電気伝導測定を用いてSi(111)-SOI表面の電気伝導特性が大きく表面に依存することを見いだすなど、様々な低次元系の電気伝導特性の解明を行った。
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